1 plaça de TFG / Experimental Characterization of a Smart ISFET CMOS Chip
Oposicion de 1 plaça de TFG / Experimental Characterization of a Smart ISFET CMOS Chip en Ministerio de Ciencia e Innovación - Consejo Superior de Investigaciones Científicas (CSIC) - Institut de Microelectrònica de Barcelona (IMB-CNM)
Ministerio de Ciencia e Innovación - Consejo Superior de Investigaciones Científicas (CSIC) - Institut de Microelectrònica de Barcelona (IMB-CNM)
1 plaça de TFG / Experimental Characterization of a Smart ISFET CMOS Chip
Identificador
20201026O86
Finalització de presentació de sol·licituds
Obert fins a trobar la persona candidata adequada
Tipus de personal
Laboral temporal
Grup de titulació o assimilat
A1 - Grau universitari (correspondència amb llicenciatures)
Titulació requerida
Enginyeria electrònica o qualsevol pla d'estudis similar
Altres requisits
Bon anglès parlat i escrit
Matèries
Enginyeria sense especificar, Recerca / Laboratori